FZ Silicon Wafer Semiconductor
Beskrivelse FZ silisium wafer er en type høyrent silisium wafer som ofte brukes i halvlederindustrien. FZ står for Float Zone, som er en metode for å dyrke enkrystall silisium. Under FZ-prosessen blir en silisiumstang suspendert vertikalt i en høytemperaturovn, og...
Beskrivelse
Beskrivelse
FZ silisium wafer er en type høyrent silisium wafer som ofte brukes i halvlederindustrien. FZ står for Float Zone, som er en metode for å dyrke enkrystall silisium.
Under FZ-prosessen blir en silisiumstang suspendert vertikalt i en høytemperaturovn, og en smeltet sone skapes ved å varme opp en liten del av stangen. Den smeltede sonen beveges langs stangens lengde, og etter hvert som den avkjøles, stivner den til en enkelt krystall. Prosessen gjentas flere ganger til hele lengden av stangen er omdannet til en enkelt krystall.
FZ silisiumskiver har et veldig høyt renhetsnivå, med urenhetsnivåer vanligvis mindre enn én del per milliard. Denne renheten gjør dem ideelle for bruk i høyytelses elektroniske enheter, som mikroprosessorer, minnebrikker og solceller. FZ-wafere brukes også i vitenskapelig forskning og i produksjon av høyytelsessensorer og detektorer.
Spesifikasjon
| Diameter | 2" | 3" | 4" | 5" | 6" | 8" |
| Vekstmetode | FZ | |||||
| Orientering | < 1-0-0 > , < 1-1-1 > | |||||
| Type/Dopant | Intrinsic, N Type/Phos, P Type/Bor | |||||
| Tykkelse (um) | 279 | 380 | 525 | 625 | 675 | 725 |
| Tykkelsestoleranse | Standard ± 25um | ±50um | ||||
| Resistivitet (ohm-cm) | 1000-20000, Maximum Capabilities>20000, og 1-5 | |||||
| Overflate ferdig | P/E , P/P, E/E, G/G | |||||
| TTV (um) | Standard< 10 um | |||||
| Bue/varp (um) | Standard<40 um | |||||

Populære tags: fz silisium wafer halvleder
Sende bookingforespørsel
Du kommer kanskje også til å like
