Forbedret halvlederpålitelighet silisiumkarbid

Silisiumkarbid (SiC) gir økt pålitelighet for halvlederenheter, noe som gjør det til et foretrukket materiale i krevende bruksområder.

Sende bookingforespørsel

Beskrivelse

SiCs unike egenskaper bidrar til den forbedrede påliteligheten og robustheten til halvlederkomponenter. Forbedret halvlederpålitelighet Silisiumkarbid.
SiCs høytemperaturstabilitet gjør at enheter kan operere i tøffe miljøer med minimal ytelsesforringelse. SiC-baserte halvlederenheter tåler høye temperaturer uten at det går på bekostning av deres elektriske ytelse og levetid.

Spesifikasjon

Eiendom	Verdi
Kjemisk formel	SiC
Krystallstruktur	Sekskantet
Tetthet	3,21 g/cm³
Smeltepunkt	2730 grader (4946 grader F)
Hardhet (Mohs skala)	9.5
Termisk ledningsevne	120-200 W/m·K
Elektrisk resistivitet	10⁵-10⁷ Ω·m
Koeffisient for termisk ekspansjon (CTE)	4.0-6.0 x 10⁻⁶/grad
Maksimal driftstemperatur	1,600-2,800 grader (2,912-5,072 grader F)
Youngs modul	370-700 GPa
Poissons forhold	0.16-0.22
Dielektrisk konstant	9.7-10.7
Bandgap energi	2.2-3.3 eV
Kjemisk motstand	Svært motstandsdyktig mot syrer, alkalier og oksidasjon
Motstand mot termisk sjokk	Utmerket
Slitestyrke	Utmerket
Slitestyrke	Utmerket
Høy temperatur stabilitet	Utmerket

Enhanced Semiconductor Reliability Silicon Carbide

Denne egenskapen er spesielt verdifull i applikasjoner som bil-, romfarts- og kraftelektronikk, der enheter kan bli utsatt for høye temperaturer.

Forbedret halvlederpålitelighet Silisiumkarbid. Dessuten viser SiC utmerket kjemisk motstand, og beskytter halvlederkomponenter mot etsende stoffer og miljøfaktorer. SiC-baserte enheter er mindre utsatt for nedbrytning forårsaket av kjemiske reaksjoner eller eksponering for fuktighet, noe som sikrer langsiktig pålitelighet og holdbarhet.

SiCs høye elektriske feltstyrke og lave lekkasjestrømmer bidrar til den forbedrede påliteligheten til halvlederenheter. SiC-baserte enheter kan håndtere høyere spenninger og vise lavere lekkasjestrøm, reduserer risikoen for sammenbrudd og forbedrer den generelle robustheten til komponentene.

Den forbedrede påliteligheten til SiC-baserte halvlederenheter betyr lengre levetid, reduserte vedlikeholdskrav og forbedret systemytelse i kritiske applikasjoner som kraftelektronikk, bilelektronikk.

FAQ

Spørsmål: Er du et handelsselskap eller en produsent?
A: Vi er en produsent lokalisert i Anyang City, Henan-provinsen, Kina. Alle våre kunder kommer fra inn- og utland. Ser frem til ditt besøk.

Spørsmål: Hvor lang er leveringstiden din?
A: Vanligvis 5-10 dager hvis varene er på lager, 15-20 dager hvis varene ikke er på lager. Det er i henhold til bestillingsmengden.

Spørsmål: Gir du gratis prøver?
A: Ja, vi kan tilby gratis prøven, du trenger bare å betale frakten.