Silisiumkarbid for høytemperaturdrift
Silisiumkarbid (SiC) er svært egnet for høytemperaturdrift på grunn av dets eksepsjonelle termiske og mekaniske egenskaper.
Beskrivelse
Beskrivelse
SiCs høytemperaturegenskaper er fordelaktige i fornybare energisystemer.
SiC-baserte enheter kan fungere ved forhøyede temperaturer uten vesentlig forringelse av ytelsen, og gir forbedret pålitelighet under krevende miljøforhold. Denne funksjonen er spesielt relevant i solenergisystemer, hvor solcelleomformere utsettes for høye temperaturer i utendørs installasjoner.
Spesifikasjon
Kjemisk oppbygning
|
Spes. |
Kjemisk sammensetning (prosent) |
||
|
SiC |
F.C |
Fe2O3 |
|
|
Større enn eller lik |
Mindre enn eller lik |
||
|
SiC98.5 |
98.5 |
0.20 |
0.60 |
|
SiC98 |
98 |
0.30 |
0.80 |
|
SiC97 |
97 |
0.30 |
1.00 |
|
SiC95 |
95 |
0.40 |
1.00 |
|
SiC90 |
90 |
0.60 |
1.20 |
|
SiC70 |
70 |
3 |
|
|
SiC65 |
65 |
5 |
|
|
SiC60 |
60 |
10 |
|
|
SiC55 |
55 |
10 |
|
|
SiC50 |
50 |
10 |
|
Her er hvordan SiC muliggjør høytemperaturdrift i ulike applikasjoner:
- Høy termisk stabilitet: SiC har utmerket termisk stabilitet og tåler ekstreme temperaturer som overskrider grensene for tradisjonelle silisiumbaserte materialer.
- Overlegen termisk ledningsevne: SiC viser høy varmeledningsevne, noe som muliggjør effektiv varmeavledning fra enheter som opererer ved høye temperaturer.
- Lav termisk ekspansjonskoeffisient: SiC har en lav termisk ekspansjonskoeffisient, noe som betyr at den opplever minimale dimensjonsendringer med temperatursvingninger.
- Oksidasjonsmotstand: SiC har utmerket motstand mot oksidasjon, noe som muliggjør bruk i høytemperaturmiljøer der oksygen eller andre oksidasjonsmidler er tilstede.
- Bredt båndgap: SiC er et halvledermateriale med bred båndgap, som gir fordeler fremfor silisium i høytemperaturapplikasjoner.
- Høy nedbrytningsspenning: SiC-enheter tåler høye spenninger selv ved høye temperaturer.
På grunn av sin termiske stabilitet, høye varmeledningsevne, lave termiske ekspansjonskoeffisient, oksidasjonsmotstand, brede båndgap og høye nedbrytningsspenning, er SiC mye brukt i høytemperaturapplikasjoner. Eksempler inkluderer høytemperaturelektronikk, solid-state belysning, kraftelektronikk i elektriske kjøretøy, romfartskomponenter og energisystemer der drift ved høye temperaturer er nødvendig.
SiCs evne til å opprettholde ytelsen og påliteligheten under ekstreme forhold gjør det til et verdifullt materiale for høytemperaturdrift.
FAQ
Spørsmål: Hvordan kan jeg få prøven?
A: Vennligst betal prøveavgiften og ekspressavgiften før vi mottar den første bestillingen. Vi vil produsere og sende de bestilte prøvene i tide etter betalingen din.
Spørsmål: Kan du sende meg en prøve og er den gratis prøve?
A: Ja, vi vil gjerne sende deg prøver. Vårt firma tilbyr vareprøver gratis dersom du trenger et stort antall prøver å distribuere til dine forhandlere eller kunder. Vi tilbyr imidlertid ikke gratis frakt. Den internasjonale fraktkostnaden dekkes av din side.
Spørsmål: Er du handelsselskap eller produsent?
A: Vi er produsent, den ligger i Henan-provinsen, Kina.
Spørsmål: Hva er din produksjonskapasitet og leveringsdato?
A: 3500MT/måned. Vi kan levere varene innen 15-20dager etter signering av kontrakten.
Populære tags: silisiumkarbid for høytemperaturdrift
Sende bookingforespørsel
Du kommer kanskje også til å like