Silisiumkarbid SiC 1-5mm

Silisiumkarbid (SiC) er en syntetisk forbindelse som består av silisium og karbon. Det er et svært slitesterkt og hardt materiale med utmerket termisk ledningsevne, høyt smeltepunkt og høy elektrisk ledningsevne. SiC produseres gjennom en kombinasjon av høy temperatur og trykk. Den vanligste metoden for å produsere SiC er Acheson-prosessen, som involverer følgende trinn:

Råvareforberedelse: Råvarene for å produsere SiC er silikasand og petroleumskoks. Disse materialene er nøye utvalgt og blandet i ønskede proporsjoner. Andre materialer som sagflis eller salt kan også tilsettes for å forbedre porøsiteten til sluttproduktet.

Ovnlading: Råvarene lades inn i en elektrisk motstandsovn foret med karbon murstein. Ovnen varmes opp til en temperatur på rundt 2200 grader, noe som får karbonet i koksen til å reagere med silikaen og danne SiC.

SiC-dannelse: Når temperaturen i ovnen øker, blir reaksjonen mellom karbon og silika kraftigere, og SiC-krystaller begynner å dannes. SiC-krystallene vokser etter hvert som reaksjonen fortsetter, og til slutt dannes en fast SiC-masse.

Knusing og sikting: Den faste SiC-massen knuses og siktes til ønsket størrelse. Størrelsen på SiC-kornene kan variere avhengig av tiltenkt bruk.

Kjemisk behandling: SiC-kornene kan gjennomgå kjemisk behandling for å fjerne eventuelle urenheter som kan påvirke kvaliteten. Behandlingen kan innebære bruk av syre, alkali eller andre kjemikalier.

Emballasje og oppbevaring: Det endelige SiC-produktet pakkes deretter i egnede beholdere og lagres i et tørt, godt ventilert område til det er klart for forsendelse.